Группа компаний «Элемент» заявила о планах инвестировать 4,4 миллиарда рублей в создание производства силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Проект будет реализован на одном из основных предприятий группы – НИИ электронной техники, расположенном в Воронеже. Этот проект станет первым в России производством GaN-транзисторов полного цикла. Проектная мощность нового кристального производства планируется на уровне 5,5 тысяч пластин в год, эквивалентных 200 мм.